UM：7K字；
DM：1K字。
要將程序?qū)懭隕PROM，請(qǐng)使用標(biāo)準(zhǔn)PROM寫入器。
在EPROM存儲(chǔ)器盒裝入CPU之前，先將EPROM連接至EPROM存儲(chǔ)器盒內(nèi)CP1E-N40SDR-A詳解。
若將EPROM存儲(chǔ)器盒從CPU上拆下，不會(huì)丟失它的數(shù)據(jù)。
CPU有一個(gè)安裝存儲(chǔ)器盒的艙。
存儲(chǔ)器盒作為RAM和CPU內(nèi)置RAM共同工作。
可選用EEPROM和EPROM存儲(chǔ)器盒CP1E-N40SDR-Ae-CON連接器CP1E-N40SDR-A詳解。
32點(diǎn)輸入。
PNP類型。
無(wú)短路和斷線檢測(cè)。
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)傳感器連接器，
無(wú)需特殊工具即可輕松連接帶預(yù)置電纜的傳感器。
帶工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)e-CON連接器的數(shù)字I/O端子。
無(wú)需使用特殊工具，安裝簡(jiǎn)便。
減少了配線工作。
配備負(fù)載短路檢測(cè)。改良性，內(nèi)置雙端口。
電源規(guī)格：DC24V。
輸入點(diǎn)數(shù)：18點(diǎn)CP1E-N40SDR-A詳解。
輸出點(diǎn)數(shù)：12點(diǎn)。
輸出型：晶體管(漏型)。
程序容量：8K步。
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)容量：8K字。
帶智能輸入功能的簡(jiǎn)易輸入編輯器。
當(dāng)在梯形圖編輯模式下通過鍵盤輸入指令時(shí)，
會(huì)自動(dòng)顯示提示的指令并且自動(dòng)輸入相應(yīng)地址。
連接線會(huì)根據(jù)光標(biāo)位置自動(dòng)插入，使梯形圖編程更加直觀CP1E-N40SDR-A(通信指令)。
當(dāng)在梯形圖編輯窗口中通過鍵盤輸入指令時(shí)，會(huì)自動(dòng)顯示提示的指令。
不必記住整個(gè)助記符，而只需從列表中選擇指令即可，
因而簡(jiǎn)化了輸入操作。10槽，可以安裝10個(gè)模塊。
C200H系列PLC模塊和CS系列PLC的模塊都可以用。
兩個(gè)擴(kuò)展裝置系列，長(zhǎng)度多達(dá)50米，適用于長(zhǎng)距離擴(kuò)展，
多可包括72個(gè)單元和7個(gè)裝置CP1E-N40SDR-A(通信指令)。
由于在12m距離內(nèi)具備多達(dá)80個(gè)單元和7個(gè)裝置的擴(kuò)展容量，CS1可滿足大型控制需求。
或者，一個(gè)I/O控制單元和多個(gè)I/O接口單元可用于連接兩個(gè)系列的CS1長(zhǎng)距離擴(kuò)展裝置
(各延長(zhǎng)多達(dá)50m且共包含多達(dá)72個(gè)元和7個(gè)裝置)CP1E-N40SDR-A(通信指令)。CS1基本I/O單元、CS1高功能I/O單元和CS1 CPU總線單元可安裝在裝置中的任意位置，
且無(wú)需滿足特殊遠(yuǎn)程編程要求即可進(jìn)行編程。
注:C200H單元不能安裝在長(zhǎng)距離擴(kuò)展裝置中。內(nèi)置電源（DC24V）。
輸出電流：3A。
提高可靠性，強(qiáng)化功能走向新一代。
由于生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)愈加復(fù)雜化、高速化，用戶的需求亦日趨多樣化。
為此，須提高C200HG/C200HE/C200HX的基本性能，提高處理速度等。
生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)要求產(chǎn)品上的、高標(biāo)準(zhǔn)，不斷升級(jí)換代！
創(chuàng)對(duì)當(dāng)代制造業(yè)的嚴(yán)格要求激勵(lì)著歐姆龍，
始終以新的產(chǎn)品及科學(xué)觀念投身生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)。擴(kuò)展底板I/O槽：6槽。
在輸入采樣階段，PLC控制器以掃描方式依次地讀入所有輸入狀態(tài)和數(shù)據(jù)，
并將它們存入I/O映象區(qū)中的的相應(yīng)得單元內(nèi)CP1E-N40SDR-A參考手冊(cè)。
輸入采樣結(jié)束后，轉(zhuǎn)入用戶程序執(zhí)行和輸出刷新階段。
在在這兩個(gè)階段中，即使輸入狀態(tài)和數(shù)據(jù)發(fā)生變化，
I/O映象區(qū)中的相應(yīng)單元的狀態(tài)和數(shù)據(jù)也不會(huì)改變CP1E-N40SDR-A詳解。
因此，如果輸入是脈沖信號(hào)，則該脈沖信號(hào)的寬度必須大于一個(gè)掃描周期，
才能保證在任何情況下，該輸入均能被讀入。