SRAM+E2PROM存儲卡。
RAM容量：64KB。
E2PROM容量：64KB。輸入輸出點數(shù)：4096點。
輸入輸出軟元件點數(shù)：8192點。
程序容量：130K步Q04UDVCPU參數(shù)設(shè)置。
基本運(yùn)處理速度（LD指令）：1.9ns。
程序內(nèi)存容量：520KB。
外圍設(shè)備連接端口：USB、以太網(wǎng)（通信協(xié)義支持功能）。
存儲卡I/F：SD存儲卡、擴(kuò)展SRAM卡Q04UDVCPU
方便處理大容量數(shù)據(jù)。
以往無法實現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)RAM和SRAM卡文件寄存器區(qū)域的連續(xù)存取，
在編程時需要考慮各區(qū)域的邊界Q04UDVCPU參數(shù)設(shè)置。
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴(kuò)展卡，
可將標(biāo)準(zhǔn)RAM作為一個連續(xù)的文件寄存器，
容量多可達(dá)4736K字，從而簡化了編程。
因此，即使軟元件存儲器空間不足，
也可通過安裝擴(kuò)展SRAM卡，方便地擴(kuò)展文件寄存器區(qū)域Q04UDVCPU參數(shù)設(shè)置。
變址寄存器擴(kuò)展到了32位，從而使編程也可越了傳統(tǒng)的32K字，
并實現(xiàn)變址修飾擴(kuò)展到文件寄存器的所有區(qū)域。
另外，變址修飾的處理速度對結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)（陣列）的運(yùn)算起著重要作用，
該速度現(xiàn)已得到提高。
當(dāng)變址修飾用于反復(fù)處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時，可縮短掃描時間Q04UDVCPU(常見的指令)。
支持USB和RS232。

支持安裝記憶卡。

多CPU之間提供高速通信。
縮短了固定掃描中斷時間，裝置化。
固定周期中斷程序的小間隔縮減至100μs。
可準(zhǔn)確獲取高速信號，為裝置的更加化作出貢獻(xiàn)。
通過多CPU進(jìn)行高速、機(jī)器控制。
通過順控程序的直線和多CPU間高速通信（周期為0.88ms）的并列處理，實現(xiàn)高速控制Q04UDVCPU(常見的指令)。
多CPU間高速通信周期與運(yùn)動控制同步，因此可實現(xiàn)運(yùn)算效率大化。
此外，新的運(yùn)動控制CPU在性能上是先前型號的2倍，
確保了高速、的機(jī)器控制Q04UDVCPU(常見的指令)。輸入輸出點數(shù)：2048點。
輸入輸出數(shù)據(jù)設(shè)備點數(shù)：8192點。
程序容量：92k。
基本命令處理速度(LD命令)：0.15μS。
指令執(zhí)行所需的時間和用戶程序的長短、指令的種類和CPU執(zhí)行速度是有很大關(guān)系，
一般來說，一個掃描的過程中，故障診斷時間，
通信時間，輸入采樣和輸出刷新所占的時間較少，
執(zhí)行的時間是占了大部分。
光電耦合器由兩個發(fā)光二極度管和光電三極管組成。
發(fā)光二級管：在光電耦合器的輸入端加上變化的電信號，
發(fā)光二極管就產(chǎn)生與輸入信號變化規(guī)律相同的光信號。
輸入接口電路工作過程：當(dāng)開關(guān)合上，二極管發(fā)光，
然后三極管在光的照射下導(dǎo)通，向內(nèi)部電路輸入信號。
當(dāng)開關(guān)斷開，二極管不發(fā)光，三極管不導(dǎo)通。向內(nèi)部電路輸入信號。
也就是通過輸入接口電路把外部的開關(guān)信號轉(zhuǎn)化成PLC內(nèi)部所能接受的數(shù)字信號。
光電三級管：在光信號的照射下導(dǎo)通，導(dǎo)通程度與光信號的強(qiáng)弱有關(guān)。
在光電耦合器的線性工作區(qū)內(nèi)，輸出信號與輸輸入信號有線性關(guān)系Q04UDVCPU結(jié)構(gòu)化編程手冊。
用戶程序存儲容量：是衡量可存儲用戶應(yīng)用程序多少的指標(biāo)標(biāo)Q04UDVCPU參數(shù)設(shè)置。
通常以字或K字為單位。16位二進(jìn)制數(shù)為一個字，
每1024個字為1K字。PLC以字為單位存儲指令和數(shù)據(jù)。
一般的邏輯操作指令每條占1個字。定時/計數(shù)，
移位指令占2個字。數(shù)據(jù)操作指令占2~4個字。