SRAM存儲卡。
RAM容量：512KB。8通道。
鉑熱電阻（Pt100、JPt100）。
鎳熱電阻（Ni100）。
脫落檢測功能。
轉(zhuǎn)換速度：320ms/8通道Q3MEM-8MBS技術(shù)指標(biāo)。
通道間隔離。
40針連接器。
適合用于過程控制的隔離模擬量模塊。
可通過連接熱電偶/熱電阻來收集溫度數(shù)據(jù)。
產(chǎn)品可選擇多通道（ 8通道）輸入型和通道隔離型Q3MEM-8MBS
客戶可根據(jù)預(yù)期用途選擇適合的型號。
縮短系統(tǒng)停機(jī)復(fù)原時(shí)間。
只需簡單的操作，即可將CPU內(nèi)的所有數(shù)據(jù)備份到存儲卡中。
通過定期備份，可始終將新的參數(shù)、程序等保存到存儲卡Q3MEM-8MBS技術(shù)指標(biāo)。
在萬一發(fā)生CPU故障時(shí)，在更換CPU后，可通過簡單的操作，
通過事前備份了數(shù)據(jù)的存儲卡進(jìn)行系統(tǒng)復(fù)原。
因此，無需花費(fèi)時(shí)間管理備份數(shù)據(jù)，也可縮短系統(tǒng)停機(jī)時(shí)的復(fù)原時(shí)間。
自動備份關(guān)鍵數(shù)據(jù)
將程序和參數(shù)文件自動保存到無需使用備份電池的程序存儲器（Flash ROM）中，
以防因忘記更換電池而導(dǎo)致程序和參數(shù)丟失。
此外，還可將軟元件數(shù)據(jù)等重要數(shù)據(jù)備份到標(biāo)準(zhǔn)ROM，
以避免在長假期間等計(jì)劃性停機(jī)時(shí)，
這些數(shù)據(jù)因電池電量耗盡而丟失。
下次打開電源時(shí)，備份的數(shù)據(jù)將自動恢復(fù)。輸入：2通道。
10kpps。
計(jì)數(shù)器輸入信號：DC5/12/24V。
外部輸入：DC5器Q3MEM-8MBS技術(shù)指標(biāo)。
支持高分辨率設(shè)備。滿足高速控制應(yīng)用的脈沖輸入、高速計(jì)數(shù)器模塊產(chǎn)品群。
對高速脈沖串進(jìn)行計(jì)數(shù)的高速計(jì)數(shù)器模塊。
可與外部編碼器組合使用進(jìn)行定位等控制。
可切換高計(jì)數(shù)速度，對從高速脈沖到上升沿/下降沿平緩的低頻脈沖進(jìn)行計(jì)數(shù)。
每個(gè)1通道配備2點(diǎn)的外部一致輸出。
可根據(jù)用途選擇“一致輸出功能”、“連續(xù)比較功能”，實(shí)現(xiàn)外部設(shè)備的高速控制。（QD64D2）
提供多種功能，例如一致輸出測試功能（使用連續(xù)比較功能時(shí)）、預(yù)設(shè)功能、鎖存計(jì)數(shù)器功能，
以滿足各種應(yīng)用需求。（ QD64D2）
輸入脈沖的高計(jì)數(shù)速度可達(dá)8Mpps （差分輸入、2相4倍頻時(shí)）。
可在半導(dǎo)體、液晶制造等對位置精度要求高的設(shè)備中，
使用高分辨率編碼器執(zhí)行的位置跟蹤。（ QD65PD2）SRAM存儲器卡，容量：2M字節(jié)。
尺寸：45*42.8*3.3mm
重量：15g。
支持SD存儲卡。
高速通用型QCPU支持SD存儲卡，
從而能夠與有SD存儲卡插口的PC之間輕松地實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)交換。
另外、可同時(shí)使用SD存儲卡和擴(kuò)展SRAM卡。
因此，可利用擴(kuò)展SRAM卡擴(kuò)展文件寄存器，
可利用SD存儲卡同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)文件記錄、大量注釋數(shù)據(jù)保存、通過存儲卡進(jìn)行引導(dǎo)運(yùn)行。
更好的用戶體驗(yàn)數(shù)據(jù)記錄功能。
記錄方便，無需程序。
只需通過專門的配置工具向?qū)лp松完成設(shè)置，
便可將收集的數(shù)據(jù)以CSV格式保存到SD存儲卡。
可有效利用已保存的CSV文件方便地創(chuàng)建各各種參考資料，
包括日常報(bào)告、生成報(bào)表及一般報(bào)告Q3MEM-8MBS使用說明書。
這些資料可應(yīng)用于啟啟動時(shí)的數(shù)據(jù)分析、追溯等Q3MEM-8MBS使用說明書。
毫無遺漏地記錄控制數(shù)據(jù)的變動
可在每次順序掃描期間或者在毫秒時(shí)間間隔內(nèi)收集數(shù)據(jù)，
毫無遺漏地記錄的控制數(shù)據(jù)的變動。
因此，在發(fā)生故障時(shí)，可快速確定原因，進(jìn)行的動作分析。