cmos-ram單元：電容器備份。
UM：7K字；
DM：1K字。
CPU有一個(gè)安裝存儲(chǔ)器盒的艙。
存儲(chǔ)器盒作為RAM和CPU內(nèi)置RAM共同工作。
可選用EEPROM和EPROM存儲(chǔ)器盒CRT1-OD16SY技術(shù)指標(biāo)。
要將程序?qū)懭隕PROM，請(qǐng)使用標(biāo)準(zhǔn)PROM寫入器。
在EPROM存儲(chǔ)器盒裝入CPU之前，先將EPROM連接至EPROM存儲(chǔ)器盒內(nèi)CRT1-OD16SY
若將EPROM存儲(chǔ)器盒從CPU上拆下，不會(huì)丟失它的數(shù)據(jù)。UM：7K字；
DM：1K字。
要將程序?qū)懭隕PROM，請(qǐng)使用標(biāo)準(zhǔn)PROM寫入器CRT1-OD16SY技術(shù)指標(biāo)。
在EPROM存儲(chǔ)器盒裝入CPU之前，先將EPROM連接至EPROM存儲(chǔ)器盒內(nèi)。
若將EPROM存儲(chǔ)器盒從CPU上拆下，不會(huì)丟失它的數(shù)據(jù)。
CPU有一個(gè)安裝存儲(chǔ)器盒的艙。
存儲(chǔ)器盒作為RAM和CPU內(nèi)置RAM共同工作。
可選用EEPROM和EPROM存儲(chǔ)器盒。輸出點(diǎn)數(shù)：32點(diǎn)。
大開閉能力：DC12-24V(2.4A/公用，4.8A/單元)。
小開閉能力：-。
輸出應(yīng)答時(shí)間（ON延遲）：0.2ms以下。
輸出應(yīng)答時(shí)間（OFF延遲）：0.3ms以下。
每回路公用的點(diǎn)數(shù)：16點(diǎn)(2回路)。
外部供應(yīng)電源容量：DC12-24V 80mA以上。
一般接受行程開關(guān)、限位開關(guān)等輸入的開關(guān)量信線CRT1-OD16SY技術(shù)指標(biāo)。
輸入器件可以是任何無源的觸點(diǎn)或集電極開路的NPN管。
輸入器件接通時(shí)，輸入端接通，輸入線路閉合，
同時(shí)輸入指示的發(fā)光二極管亮。
開關(guān)量主要指開入量和開出量，是指一個(gè)裝置所帶的輔助點(diǎn)，
譬如變壓器的溫控器所帶的繼電器的輔助點(diǎn)、閥門凸輪開關(guān)所帶的輔助點(diǎn)，
接觸器所帶的輔助點(diǎn)、熱繼電器，
這些點(diǎn)一般都傳給PLC或綜保裝置，
電源一般是由PLC或綜保裝置提供的，
自己本身不帶電源，所以叫無源接點(diǎn)，
也叫PLC或綜保裝置的開入量。
這是PLC控制器基本、廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，
它取代傳統(tǒng)的繼電器電路，
實(shí)現(xiàn)邏輯控制、順序控制，既可用于單臺(tái)設(shè)備的控制，
也可用于多機(jī)群控及自動(dòng)化流水線。
如注塑機(jī)、印刷機(jī)、訂書機(jī)械、組合機(jī)床、磨床、包裝生產(chǎn)線、電鍍流水線等。I/O容量/可安裝單元型號(hào)標(biāo)準(zhǔn) (擴(kuò)展裝置)：2560點(diǎn)/40單元 (多3個(gè)擴(kuò)展裝置)。
程序容量：100K步。
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)容量：352K字，DM：32K字；EM：32K字 × 4個(gè)存儲(chǔ)庫。
通過直接處理的立即刷新指令， 提高I/O總處理能力速度。
借助高速中斷功能大限度提升總處理能力。
讓系統(tǒng)遠(yuǎn)離存儲(chǔ)器自恢復(fù)功能所產(chǎn)生的存儲(chǔ)錯(cuò)誤。
甚至更多程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。
CJ2是模塊控制器領(lǐng)域的市場(chǎng)多年豐富經(jīng)驗(yàn)的結(jié)晶，，
代表著控制器設(shè)計(jì)的一個(gè)合乎邏輯的新篇章CRT1-OD16SY操作手冊(cè)。
它提供優(yōu)越的性能、更快的的I/O響應(yīng)以及級(jí)可擴(kuò)展性，
因此，您只需擁有一個(gè)系列CRT1-OD16SY操作手冊(cè)。此外，您可以更快、更輕松地完成編程、調(diào)試任務(wù)，
網(wǎng)絡(luò)也變得更快速，更易于操作。
歡迎使用全新CJ2系列： 致力于向你提供不再有升級(jí)煩惱的技術(shù)創(chuàng)新。