類型：N型 20點(diǎn) I/O。
電源規(guī)格：DC24V。
輸入點(diǎn)數(shù)：12點(diǎn)。
輸出點(diǎn)數(shù)：8點(diǎn)。
輸出型：晶體管(漏型)。
程序容量：8k步。
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)容量：8K字CV500-MC421調(diào)試方法。
對(duì)應(yīng)更多的全球競(jìng)爭(zhēng)的設(shè)備控制。
與CPM系列相比CP1E提供了更高的性價(jià)比提供了更高的性價(jià)比。
進(jìn)深比標(biāo)準(zhǔn)型縮短6mm。
裝上RS-232C連接器時(shí)，進(jìn)深縮短20mmCV500-MC421
具備先進(jìn)的控制性能和功能，應(yīng)用廣泛。
應(yīng)用機(jī)型內(nèi)置高速計(jì)數(shù)器功能、脈沖輸出功能、串行連接端口。
此外，使用擴(kuò)展單元及選項(xiàng)板時(shí)，可支持各種裝置控制CV500-MC421調(diào)試方法。
脈沖輸出功能僅晶體管輸出型。
使用100kHz、2軸脈沖輸出功能實(shí)現(xiàn)定位控制。
高速計(jì)數(shù)器功能。
使用100kHz(單相)2軸和10kHz(單相)4軸的高速計(jì)數(shù)器功能，
即使是多軸控制，也可通過(guò)1臺(tái)設(shè)備實(shí)現(xiàn)。輸入點(diǎn)數(shù)：16點(diǎn)。
輸入電壓：DC24V。
輸入電流：7mA。
輸入信號(hào)的脈沖寬度：ON時(shí)間：0.05ms以上 OFF時(shí)間：0.5ms以上。
安裝可能位置：無(wú)限制。
安裝可能臺(tái)數(shù)：無(wú)限制（CPU單元的大單元連接臺(tái)數(shù)內(nèi)）。
外部連接：可卸端子塊。
短于周期時(shí)間的輸入信號(hào)
此輸入單元可以讀取短于CPU單元周期時(shí)間的脈沖輸入。
快速響應(yīng)輸入單元可以讀取0可以在與檢測(cè)設(shè)備通信時(shí)用于讀取許多太短以至于無(wú)法使用正常I/O單元讀取的脈沖信號(hào)CV500-MC421調(diào)試方法。輸出點(diǎn)數(shù)：16點(diǎn)。
開(kāi)關(guān)容量：AC250V或DC24V，2A以下DC120V，0.1A以下。
所需字?jǐn)?shù)：1字。
將單元安裝到CPU裝置時(shí)，多可控制960點(diǎn)。
CS1提高空間效率。只需將10個(gè)基本I/O單元(各96個(gè)I/O點(diǎn))安裝到CPU裝置，
即可控制多達(dá)960個(gè)I/O點(diǎn)?；蛘?，通過(guò)按住五個(gè)模擬量輸入單元和五個(gè)模擬量輸出單元，
也可控制多達(dá)80個(gè)模擬量I/O點(diǎn)。
提高了數(shù)據(jù)鏈接、遠(yuǎn)程I/O通信和協(xié)議宏的刷新性能。
以前，僅在執(zhí)行指令后的I/O刷新期間，CPU總線單元才會(huì)發(fā)生I/O刷新。
但是，借助新CS1，通過(guò)使用DLNK指令，可立即刷新I/O。
立即刷新特定于CPU總線單元的過(guò)程意味著可提高CPU總線單元的刷新響應(yīng)性，
如執(zhí)行指令時(shí)用于數(shù)據(jù)鏈接和DeviceNet遠(yuǎn)程I/O通信和分配的CIO區(qū)/DM區(qū)字的過(guò)程。容量：16K字。
要將程序?qū)懭隕PROM，請(qǐng)使用標(biāo)準(zhǔn)PROM寫入器。
在EPRROM存儲(chǔ)器盒裝入CPU之前，先將EPROM連接至至EPROM存儲(chǔ)器盒內(nèi)CV500-MC421CS1替換CV/CVM1手冊(cè)CV500-MC421CS1替換CV/CVM1手冊(cè)。
若將EPROM存儲(chǔ)器盒從CPU上拆下，不會(huì)丟失它的數(shù)據(jù)。
CPU有一個(gè)安裝存儲(chǔ)器盒的艙。
存儲(chǔ)器盒作為RAM和CPU內(nèi)置RAM共同工作。
可選用EEPROM和EPROM存儲(chǔ)器盒。