CJ1W-NC234產(chǎn)品特點(diǎn)及功能介紹：
內(nèi)置電源，AC100-120/200-240V。
提高可靠性，強(qiáng)化功能走向新一代。
由于生產(chǎn)現(xiàn)場愈加復(fù)雜化、高速化，用戶的需求亦日趨多樣化。
為此，須提高C200HG/C200HE/C200HX的基本性能，提高處理速度等。
生產(chǎn)現(xiàn)場要求產(chǎn)品上的、高標(biāo)準(zhǔn)，不斷升級換代！
創(chuàng)對當(dāng)代制造業(yè)的嚴(yán)格要求激勵(lì)著歐姆龍，
始終以新的產(chǎn)品及科學(xué)觀念投身生產(chǎn)現(xiàn)場CJ1W-NC234輸入點(diǎn)數(shù)：32點(diǎn)。
輸入電壓和電流：DC24V，6mA。
輸出點(diǎn)數(shù)：32點(diǎn)源型。
輸出電壓和電流：DC12～24V，0.3A。
所需字?jǐn)?shù)：2個(gè)輸入字，2個(gè)輸出字節(jié)。
大容量CPU單元可增加組件控制電源。
CS1 CPU單元均享有多達(dá)5120個(gè)I/O點(diǎn)的出眾容量、250K步的編程、448字的數(shù)據(jù)存儲器(包括擴(kuò)展數(shù)據(jù)存儲器)和4096個(gè)定時(shí)器/計(jì)數(shù)器。
由于具備較大編程容量，CS1 PLC小僅適用于大型系統(tǒng)，
還可輕松處理增值應(yīng)用和其他數(shù)據(jù)處理。
數(shù)據(jù)處理期間的周期時(shí)間變化減少
需要較長執(zhí)行時(shí)間的指令
(如表數(shù)據(jù)處理指令將周期時(shí)間變化降到低并保持穩(wěn)定I/O響應(yīng)和文本字符申指令)將在多個(gè)周期內(nèi)處理。CQM1-TC001熱電偶輸入，
類型及溫度范圍：K：-200~1300℃，J：-100~850℃。
溫度控制單元適用于4回路溫度控制或2回路溫度控制，
且2回路溫度控制可以提供一個(gè)加熱器熔斷報(bào)警功能。
通過傳送命令可以設(shè)定參數(shù)并從溫度控制單元讀取數(shù)據(jù)。
因此，只有一個(gè)字可以分配給溫控單元用于輸入和輸出，
實(shí)現(xiàn)高密度溫度控制，命令可以很容易地通TRANSFER I/O命令實(shí)現(xiàn)。
帶有反饋回路的PID確保穩(wěn)定溫度控制，單元也能夠設(shè)置ON/OFF控制。cmos-ram單元：電容器備份。
UM：7K字；
DM：1K字。
CPU有一個(gè)安裝存儲器盒的艙。
存儲器盒作為RAM和CPU內(nèi)置RAM共同工作。
可選用EEPROM和EPROM存儲器盒。
要將程序?qū)懭隕PROM，請使用標(biāo)準(zhǔn)PROM寫入器。
在EPROM存儲器盒裝入CPU之前，先將EPROM連接至EPROM存儲器盒內(nèi)。
若將EPROM存儲器盒從CPU上拆下，不會丟失它的數(shù)據(jù)。程序容量：15.2K字。
RS-232端口：無。
數(shù)據(jù)存儲器(DM)：6K字。
擴(kuò)展數(shù)據(jù)內(nèi)存(EM)：6K字。
處理時(shí)間(基本指令)：0.15μs。
I/O點(diǎn)數(shù)：1184點(diǎn)。
I/O擴(kuò)展單元的臺數(shù)：3臺。
多點(diǎn)I/O(組2)可裝載臺數(shù)：16臺(1單元占用單元)。
多點(diǎn)I/O(組2)可裝載臺數(shù)：8臺(2單元占用單元)。
總線I/O的可裝載臺數(shù)：16臺(1單元占用單元)。
為高水平控制而設(shè)計(jì)的。
變革生產(chǎn)現(xiàn)場的「情報(bào)化」、「標(biāo)準(zhǔn)化」
為了適應(yīng)消費(fèi)者多樣化的需要，

要求生產(chǎn)不同的品種、數(shù)量，縮短開發(fā)周期、降低成本等。
制造業(yè)正面對著十分嚴(yán)唆的形勢。
因而在生產(chǎn)上上愈發(fā)要求提率，機(jī)動(dòng)靈活。
從而，情報(bào)化_、標(biāo)準(zhǔn)化成為當(dāng)務(wù)之急。
為實(shí)現(xiàn)此目標(biāo)，各銷售部門配置的不同網(wǎng)絡(luò)、專為用戶特定編制的軟件工具的使用環(huán)境力求統(tǒng)一。
適應(yīng)多通道控制的元器件也正日益步入商品化階段。
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