SRAM存儲(chǔ)卡。
RAM容量：512KB。SRAM存儲(chǔ)器卡；容量：8M字節(jié)。
帶保護(hù)罩的記憶卡。
支持SD存儲(chǔ)卡。
高速通用型QCPU支持SD存儲(chǔ)卡，
從而能夠與有SD存儲(chǔ)卡插口的PC之間輕松地實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)交換Q173CPUN-T使用手冊(cè)。
另外、可同時(shí)使用SD存儲(chǔ)卡和擴(kuò)展SRAM卡。
因此，可利用擴(kuò)展SRAM卡擴(kuò)展文件寄存器，
可利用SD存儲(chǔ)卡同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)文件記錄、大量注釋數(shù)據(jù)保存、通過(guò)存儲(chǔ)卡進(jìn)行引導(dǎo)運(yùn)行Q173CPUN-T
只需插入SD存儲(chǔ)卡，即可自動(dòng)記錄Q173CPUN-T使用手冊(cè)。
只需在CPU中插入保存了記錄設(shè)定文件的SD存儲(chǔ)卡，即可自動(dòng)開(kāi)始記錄。
即使在需要進(jìn)行遠(yuǎn)程數(shù)據(jù)收集時(shí)，
通過(guò)郵件接收記錄設(shè)定文件并將其到SD存儲(chǔ)卡中后，
即可立即開(kāi)始記錄。
更好的用戶體驗(yàn)數(shù)據(jù)記錄功能。
記錄方便，無(wú)需程序。
只需通過(guò)專門(mén)的配置工具向?qū)лp松完成設(shè)置，
便可將收集的數(shù)據(jù)以CSV格式保存到SD存儲(chǔ)卡Q173CPUN-T使用手冊(cè)。
可有效利用已保存的CSV文件方便地創(chuàng)建各種參考資料，
包括日常報(bào)告、生成報(bào)表及一般報(bào)告。
這些資料可應(yīng)用于啟動(dòng)時(shí)的數(shù)據(jù)分析、追溯等。
毫無(wú)遺漏地記錄控制數(shù)據(jù)的變動(dòng)
可在每次順序掃描期間或者在毫秒時(shí)間間隔內(nèi)收集數(shù)據(jù)，
毫無(wú)遺漏地記錄的控制數(shù)據(jù)的變動(dòng)Q173CPUN-T(基本面)。
因此，在發(fā)生故障時(shí)，可快速確定原因，進(jìn)行的動(dòng)作分析。擴(kuò)展SRAM卡 4MB
只需插入SD存儲(chǔ)卡，即可自動(dòng)記錄。
只需在CPU中插入保存了記錄設(shè)定文件的SD存儲(chǔ)卡，即可自動(dòng)開(kāi)始記錄。
即使在需要進(jìn)行遠(yuǎn)程數(shù)據(jù)收集時(shí)，
通過(guò)郵件接收記錄設(shè)定文件并將其到SD存儲(chǔ)卡中后，
即可立即開(kāi)始記錄Q173CPUN-T(基本面)。輸入：4通道。
輸入：DC-10~10V、DC0~20mA。
輸出（分辨率）：0~4000、-4000~4000、0~12000、0~16000、-16000~16000Q173CPUN-T(基本面)。
轉(zhuǎn)換速度度：500μs/1通道。
18點(diǎn)端子排。
以智能功能拓展控制的可能性。
通道隔離型模擬量模塊在實(shí)現(xiàn)高隔離電壓的同時(shí)，
進(jìn)一步提高了基準(zhǔn)精度。
為使用通用可編程控制器進(jìn)行過(guò)程控制提供支持。
流量計(jì)、壓力表、其它傳感器等可直接連接至模擬量輸入，
控制閥也可直接連接至模擬量輸出。
由于不需要外部隔離放大器，硬件和安裝成本得以大幅降低。
高緣強(qiáng)度耐壓 。
可隔離電氣干擾，例如電流和噪音等。
標(biāo)準(zhǔn)型模擬量輸入模塊。
隔離型模擬量輸入模塊。
無(wú)需外部隔離放大器。
不使用通道間隔離型模擬量模塊時(shí)。
使用了通道間隔離型模擬量模塊時(shí)。輸入輸出點(diǎn)數(shù)：4096點(diǎn)。
輸入輸出元件數(shù)：8192點(diǎn)。
程序容量：26 k步。
處理速度：79ns。
程序存儲(chǔ)器容量：144 KB。
內(nèi)置RS232通信口。
支持安裝記憶卡。
僅用于A模式。
提升基本性能。
CPU的內(nèi)置軟元件存儲(chǔ)器容量增加到多60K字。
對(duì)增大的控制、質(zhì)量管理數(shù)據(jù)也可高速處理。
方便處理大容量數(shù)據(jù)。
以往無(wú)法實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)RAM和SRAM卡文件寄存器區(qū)域的連續(xù)存取，
在編程時(shí)需要考慮各區(qū)域的邊界。
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴(kuò)展卡，
可將標(biāo)準(zhǔn)RAM作為一個(gè)連續(xù)的文件寄存器，
容量多可達(dá)4736K字，從而簡(jiǎn)化了編程。
因此，即使軟元件存儲(chǔ)器空間不足，
也可通過(guò)安裝擴(kuò)展SRAM卡，方便地?cái)U(kuò)展文件寄存器區(qū)域。
變址寄存器器擴(kuò)展到了32位，從而使編程也可越了傳統(tǒng)的32K字，
并實(shí)現(xiàn)變址修飾擴(kuò)擴(kuò)展到文件寄存器的所有區(qū)域Q173CPUN-T使用手冊(cè)Q173CPUN-T編程手冊(cè)。
另外，變址修飾的處理速度對(duì)結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)（陣列）的運(yùn)算起著重要作用，
該速度現(xiàn)已得到提高。
當(dāng)變址修飾用于反復(fù)處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時(shí)，可縮短掃描時(shí)間。